ON SEMICONDUCTOR 2SB649A Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE TO-225-3
2SB649A
26 Artículos
Ficha técnica
- Recomendado para nuevos diseños:
- SI
- DocsURL
- -
- Producto
- BJT
- Montaje
- PTH
- Encapsulado
- TO-225
- Polaridad
- PNP
- Disipación de Potencia Pd
- 1W
- Número de Terminales
- 3
- Configuración
- Sencillo
- Voltaje Colector Emisor Vceo
- 160V
- Corriente del Colector Ic
- 1.5
- Voltaje Base Emisor Vebo
- 5V
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SB649A